边站队，必须有充足的、站得住脚的、能够说服人的理由！
张谦之想了想，坦诚回道：
“部长你是知道我的，我向来主张对外国祛魅。
“不管是苏联，还是美国，都只是暂时强于我们而已。
“我们终将反超苏联和美国，无论哪方面！
“所以，我认为国家应该全力搞硅基半导体的理由，与苏联和美国选了哪样材料无关。
“仅仅和锗、硅两样材料本身的物理性质有关！”
话音落下，赵部长、刘鐤、蒋崇景和刘长川四人，不约而同地掏出了随身携带的钢笔和小本子。
做好了认真记录张工接下来要说的话的准备。
张谦之视若无睹，自顾自说道：
“锗的禁带宽度是0.66??eV，硅的禁带宽度是1.12??eV。
“锗的禁带窄，通俗理解是门槛低，‘热’很轻松就能装出大量自由电荷，其优势是电子、空穴迁移率高。
“但是温度一高，这点优势便会直接作废，到处乱跑的多余载流子就会把PN结的开关、放大功能搅得稀乱。
“因为这一点，锗器件的工作温度上限，一般只有70~85℃。
“相对的，硅的禁带宽，高温稳定性远远优于锗，工作温度上限可以到125℃甚至更高，更适用于军用、机载和车载设备。
“此外，硅加热生成的二氧化硅氧化层，和锗加热生成的二氧化锗氧化层相比，SiO??致密、绝缘，可以做掩膜和表面钝化；而GeO??疏松、不稳定、具有水溶性，不能做掩膜和表面钝化。
“基于这一点，锗只能做合金结、生长结，大规模微型化的路被物理性质彻底锁死！
“而微型化和大批量制造，是半导体的必然发展方向！”
唰、唰、唰、唰……
伴随着张谦之的长篇大论的，是赵部长、刘鐤总工、蒋崇景、刘长川四人的奋笔疾书。
记完最后一个字，蒋崇景抬头问道：
“张工，照你这么说，锗材料和锗器件就没有任何可取之处了吗？”
“那倒也不是。”张谦之摆了摆手，“就目前和民用而言，锗材料和锗器件还是有一定的可取之处的。短期内，锗仍将占据民用主流，但半导体的未来一定是硅！”
“这样吗？”蒋崇
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